《炬丰科技-半导体工艺》 晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻 编号：JFKJ-21-902 作者：炬丰科技
引言
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的表面做出反应，因此。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。
实验
KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺模拟过程中使用了150 mm晶片，蚀刻厚度为610 μm。整个工序流程是Fig。等于4，用反射计测量了实验中使用的热处理氧化膜的厚度，确认平均为1.2 μm，如5所示。为了形成波托雷吉斯特(AZ-1512) 在97 ℃下进行了100秒的

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