从集成电路后段制造领域（芯片封装与测试）了解现实中微电子制造领域的静电问题

微电子器件制造阶段中的静电问题都是存在于生产工序众多微小的细节之中。
首先，微电子器件制造过程中存在大量的生产操作会产生并累积静电。
而静电的直接影响之一就是通过静电感应作用将临近的微电子器件（确切而言，是其中的大量微金属线路）充电至相应的静电位（或静电势）。

图1，静电源通过静电感应式微电子器件处于高静电状态的解析 
其次，微电子器件封装阶段生产工序也涉及到静电放电的操作过程。其中，以微电子器件接触到接地导体引发的放电并导致器件电性不良最为典型（Charged Device Model ESD，器件带电放电模型）。

 图2，自动化电测设备（ATE）中的CDM ESD情形分析
微电子器件制造阶段末段涉及的许多电气测试机台（IC封测工厂就含有大量的电测工序），就是典型的CDM（Charged Device Model,器件带电放电模型） ESD关键工序（100%会发生CDM ESD），由此导致微电子器件的电性不良风险（主要是器件中的绝缘膜层漏电流过大，如gate oxide，以及焊线熔断等）必须得到重视并采取有效的管控措施；

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