模电笔记二:场效应管
一 结型场管 JFET:
沟道大小不仅由UGS控制,还受UDS影响:
UGS越负,沟道越窄;UDS越正,沟道上部也越窄。
它的非线性失真比晶体管大。而放大能力远小于晶体管。
二。增强型耗尽型 绝缘栅型CMOS场效应管
增强型相当于在JFET的g极预告加了一负压,使沟道处于夹断状态。其余特性与之无异。
耗尽型:UGS负 0 正都可有ID(UGS>开启电压时)
它们与晶体管的开启电压不是一个量级,晶体管几乎所有硅管都0.6V左右一点点。而场管完全不一定,而且都是好几V的差异;输入电压的变化量级也是好几V的变化。
模电笔记二:场效应管最先出现在Python成神之路。
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