模电笔记二：场效应管

一 结型场管 JFET:

沟道大小不仅由UGS控制，还受UDS影响：
UGS越负，沟道越窄；UDS越正，沟道上部也越窄。

它的非线性失真比晶体管大。而放大能力远小于晶体管。

二。增强型耗尽型 绝缘栅型CMOS场效应管
增强型相当于在JFET的g极预告加了一负压，使沟道处于夹断状态。其余特性与之无异。
耗尽型：UGS负 0 正都可有ID（UGS>开启电压时）
它们与晶体管的开启电压不是一个量级，晶体管几乎所有硅管都0.6V左右一点点。而场管完全不一定，而且都是好几V的差异；输入电压的变化量级也是好几V的变化。

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