Topcon技术——碱抛

碱抛工艺是将氧化后的电池片背面抛平（正面为硼扩散、SE工艺面）。碱抛工艺往往是为了后续LPCVD/PECVD工艺做准备。关于LPCVD和PECVD详见我的下一篇文章。

碱抛是通过高浓度碱液腐蚀硅片，依靠晶格原子各向同性将制绒的角锥体抛平。同时去除硼扩散中背面和绕扩BSG（BSG：硼硅玻璃）

碱抛与制绒工艺路线类似，均是使用碱醇工艺（上一代工艺为酸抛工艺）。在碱抛去BSG工艺中。硅片平放与滚轮上，正面朝上“趟过”HF酸槽液。依靠毛细现象让槽液吸附在硅片侧边而不越过正表面，此时去除的即为绕扩BSG。然后再次装蓝进行碱抛。

碱抛得到的是正面为绒面背面为抛光面的硅片，由于后续工艺需要在碱抛面进行沉积超薄氧化硅与Poly，碱抛面形貌也会影响后续工艺的工艺效果。